Intel买下台积电首款最先进High-NA EUV光刻机、每小时200片以上晶圆产能

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台积电和英特尔(Intel)公司宣布,作为双方公司长远高数值孔径合作案的框架内容,英特尔已向台积电下订业界首台 TWINSCAN EXE:5200 系统的订单;这是款具备 High-NA 的极紫外光(EUV)大量生产系统,每小时具备 200 片以上晶圆产能。

英特尔的远见和对 ASML High-NA EUV 的早期承诺,为其不断追求摩尔定律的绝佳证据。相比目前的 EUV 系统,台积电持续创新拓展 EUV 路线图,进一步降低复杂性、成本、周期时间和所需能量,提供驱动芯片产业下个 10 年所需要的良好经济规模延展性。

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英特尔于去年 7 月Accelarated活动中宣布,其部署首款 High-NA 技术的计划,确立晶体管创新路线图发展。英特尔早在 2018 年即是之前 TWINSCAN EXE:5000 系统的首位买家,通过今日所宣布的新订购案,其合作关系将随着英特尔于 2025 年开始以高数值孔径 EUV 进行生产制造而延续下去。

英特尔执行副总裁技术开发事业部总经理 Ann Kelleher 博士指出,英特尔的重点就是保持半导体微影技术的领先地位,去年 Intel 持续不断地打造 EUV 专业知识和能力,通过与台积电的密切合作,我们将吸取 High-NA EUV 的高端析度图案化优势,作为延续摩尔定律的其中一个方式,并将我们追寻晶体管微缩的优良传统延续下去。

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EXE 平台为 EUV技 术的演化步骤,其包含新颖的光学设计与大幅提升速度的光罩与晶圆阶段。TWINSCAN EXE:5000 和 EXE:5200 系统,与之前 EUV 机器所具备的 0.33 数值孔径镜片相比,提供精确度提升的 0.55 数值孔径,为更小的晶体管特徵提供更高的分辨率图案化,系统所具备的数值孔径结合其使用波长,决定了最小能够印制的特徵尺寸。

EUV 0.55 NA 为 2025 年开始的多个未来节点所设计,同时也是业界首次部署该技术,随之而来的将是具备相近密度的内存技术。在 2021 年的投资者关系日,台积电分享其 EUV 路线图规划,并表示 High-NA 技术有望自 2025 开始支持生产制造。